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其他產(chǎn)品及廠家

合金鋼化驗(yàn)儀器,合金鋼成分分析儀
gq-hw2a電弧紅外碳硫分析儀: 主要技術(shù)指標(biāo):*測(cè)量范圍:碳(c)0.001%~10.000%(可擴(kuò)至99.999%) 硫(s)0.0005%~0.5000%(可擴(kuò)至99.999%) *分析時(shí)間:25~60s可調(diào),一般35s*分析誤差:碳優(yōu)于gb/223.69-1997標(biāo)準(zhǔn) 硫優(yōu)于gb/t223.68-1997標(biāo)準(zhǔn) *燃燒功率:小于2.5kva; *工作原理:電弧燃燒,紅外檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-11-06
Fluke 6200-2便攜式電器安規(guī)測(cè)試儀
fluke 6200-2 pat測(cè)試儀是輕便、小巧的一鍵式解決方案,6200-2的設(shè)計(jì)宗旨是在不影響您和客戶安全的前提下更快地工作。一鍵式解決方案...只需按下一個(gè)按鈕,即可啟動(dòng)預(yù)設(shè)測(cè)試程序。簡(jiǎn)化測(cè)試實(shí)現(xiàn)更快更高效的工作方式。6200-2重約為3 kg,重量輕、易攜帶。堅(jiān)固耐用的便攜箱(標(biāo)配)可以提供運(yùn)輸保護(hù)還提供額外存儲(chǔ)空間。體積小...該便攜式電器測(cè)試儀結(jié)構(gòu)非常緊湊,并且具有福祿克一貫的耐用性
更新時(shí)間:2025-11-06
電子式聽漏棒
揚(yáng)州捷通供水技術(shù)設(shè)備有限公司生產(chǎn)的jt-tld電子式聽漏棒實(shí)質(zhì)上是個(gè)精簡(jiǎn)化的電子放大式聽漏儀。它的方便、可靠性建立在先進(jìn)的集成性上。
更新時(shí)間:2025-11-06
漏水探測(cè)儀數(shù)字濾波型
jt-5000漏水探測(cè)儀數(shù)字濾波型采用微處理器數(shù)字化處理線路,,在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水,大屏液晶,小值顯示,實(shí)時(shí)漏水靈音,高靈敏主動(dòng)式傳感器,光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開關(guān),大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-11-06
漏水探測(cè)儀高靈敏智能型
jt-1a漏水探測(cè)儀高靈敏智能型采用微處理數(shù)化線路,高保真高降噪信號(hào)顯示,耳感逼真,清晰度高,高靈敏度傳感器,大容量充電鋰電池,輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-11-06
手持式地下管道漏水檢測(cè)儀
jt-sc01手持式地下管道漏水檢測(cè)儀小巧便攜,手持即可檢測(cè),可檢測(cè)各種類型水、油、氣等壓力管道的泄漏,包括鋼、鑄鐵、pvc、水泥管及石棉管等。
更新時(shí)間:2025-11-06
管道泄漏檢測(cè)儀/漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/漏水探測(cè)儀
jt-3ax管道泄漏檢測(cè)儀采用了雙模傳感技術(shù)、現(xiàn)代音頻信號(hào)處理技術(shù)、嵌入式微處理器技術(shù)、智能數(shù)據(jù)分析及輔助圖形技術(shù)等當(dāng)先進(jìn)技術(shù),其聽音效果清晰、適合復(fù)雜工況場(chǎng)合、智能化數(shù)據(jù)分析、可靠穩(wěn)定,是款有效巡檢管道和定位泄漏的先進(jìn)測(cè)漏儀器。jt-3ax通過(guò)傳感器拾取地下壓力管道破損泄漏產(chǎn)生的振動(dòng)信號(hào)來(lái)準(zhǔn)確定位泄漏點(diǎn)的位置。
更新時(shí)間:2025-11-06
供應(yīng)管道漏水檢測(cè)儀/自來(lái)水管道漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-2000型漏水檢測(cè)儀為袖珍便攜式漏水檢測(cè)儀,主機(jī)體積只有150mm×70mm×116mm大小,重約870克,攜帶操作為輕巧簡(jiǎn)便,整體設(shè)計(jì)采用全金屬外殼,堅(jiān)固耐用。
更新時(shí)間:2025-11-06
供應(yīng)管道測(cè)漏儀/漏水檢測(cè)儀/數(shù)字式漏水檢測(cè)儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-3000漏水檢測(cè)儀是用于尋找并確定供水管道漏位置的用儀器,也可用于其它壓力管道系統(tǒng)的檢漏,當(dāng)管道內(nèi)流體在壓力下逸出時(shí),產(chǎn)生噪音能沿管道傳播,或沿埋層介質(zhì)傳播到地面,檢漏儀jt-3000能沿管線或其路面上方確定漏點(diǎn)位置。
更新時(shí)間:2025-11-06
供應(yīng)數(shù)字濾波漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/聽漏儀/查漏儀
jt-5000智能型數(shù)字濾波管道漏水檢測(cè)儀采用微處理器數(shù)字化處理線路,在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水,大屏液晶,小值顯示,實(shí)時(shí)漏水錄音,高靈敏主動(dòng)式傳感器,光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開關(guān),大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-11-06
供應(yīng)地下管道泄漏檢測(cè)儀/手持式管道漏水檢測(cè)儀/手持式管道測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-sc01型手持式智能數(shù)字式泄漏檢測(cè)儀特點(diǎn)是小巧便攜,手持即可檢測(cè)。其原理是各類水油氣等帶壓管道當(dāng)某處破損泄漏時(shí),壓力水油氣從管道破損處向處噴射,與管道破裂縫隙間的摩擦而產(chǎn)生振動(dòng)會(huì)引起噴注噪聲,這種聲音隨管道向兩側(cè)和埋設(shè)地面上方路面?zhèn)鞑ィ藭r(shí)用jt-sc01型泄漏檢測(cè)儀的傳感器在路面上方檢測(cè)這種微弱泄漏信號(hào),通過(guò)主機(jī)進(jìn)行放大顯示,并有選擇的過(guò)濾噪音,獨(dú)立出泄漏聲波,使操作者找到泄漏源
更新時(shí)間:2025-11-06
供應(yīng)智能型地下管線泄漏探測(cè)儀/管道漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-1a地下管道泄漏檢測(cè)儀,是款性能其優(yōu)異的壓力管道泄漏檢測(cè)儀器,擁有超強(qiáng)的抗干擾與數(shù)據(jù)處理能力,輸出泄漏信號(hào)清晰靈敏,操作界面目了然,可以使您的工作更加輕松,它具有以下主要特點(diǎn):微處理器數(shù)字經(jīng)線路,高保真高降噪信號(hào)顯示,耳感逼真,清晰度高,高靈敏度傳感器,大容量充電鋰電池,輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-11-06
LSCG數(shù)顯PPM可燃?xì)怏w檢測(cè)儀美國(guó)CPS原裝進(jìn)口欣銳儀器代理測(cè)爆儀
lscg leak-seeker提高了可燃?xì)怏w檢漏儀的標(biāo)準(zhǔn),使其成為暖通空調(diào)人員定位和查明泄漏的工具。lscg幫助您確保沒有危險(xiǎn)的泄漏,因此您可以保持。先可燃?xì)怏w泄漏檢測(cè)儀大型背光lcd顯示屏可獲得讀
更新時(shí)間:2025-11-06
OTC5609C氣瓶泄漏測(cè)試儀
美國(guó)otc5609c氣瓶泄漏測(cè)試儀
更新時(shí)間:2025-11-06
PTL溫升測(cè)試角進(jìn)口測(cè)試角
ptl溫升測(cè)試角,進(jìn)口測(cè)試角,ptl溫度測(cè)試角,p06系列測(cè)試角
更新時(shí)間:2025-11-06
德國(guó)PTL插頭力矩試驗(yàn)儀
更新時(shí)間:2025-11-06
德國(guó)PTL試驗(yàn)彎指
更新時(shí)間:2025-11-06
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具,硬件測(cè)試,ddr測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-11-06
ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭,硬件測(cè)試,開放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-11-06
Nemtest dito靜電放電模擬器,硬件測(cè)試,開放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-11-06
PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證 調(diào)試和一致性測(cè)試解決方案
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常,memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-11-06
PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同,pcie總線使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-11-06
PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送 物理層一致性測(cè)試
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處,但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中,數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生,然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer),終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-11-06
PCIE2.0 3.0 RX 接收 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài),主電源已經(jīng)停止供電時(shí),pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求,使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-11-06
PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端 信號(hào)質(zhì)量一致性測(cè)試
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定,懷疑以下原因:- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-11-06
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉,它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程,在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái),集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平,更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能,當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-11-06
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中,般提供×16的pcie插槽,并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào),其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路,另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-11-06
Pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn),也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低,對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制,比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù),由于采用 4 電平調(diào)制,其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-11-06
Pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求,個(gè)是type00h配置請(qǐng)求,另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-11-06
Pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代,工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車,每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律,也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-11-06
Pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要,其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中,發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-11-06
Pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配,只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商,而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7,其vendor id為0x10ee,而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-11-06
Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-11-06
梅特勒電極(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣)
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開,屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-11-06
Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-11-06
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-11-06
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
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CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線 tuning 過(guò)程。
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CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
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