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光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家

英國Nanobean 電子束光刻機(jī)
英國nanobean nb5 電子束光刻機(jī),具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運(yùn)行時間超過93%.
更新時間:2025-11-06
美國Trion 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-11-06
美國Trion反應(yīng)離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
更新時間:2025-11-06
美國Trion 離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置？蓪蝹基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-11-06
美國Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨(dú)特的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時間:2025-11-06
美國Trion 高密度化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-11-06
德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時間:2025-11-06
俄羅斯 Optosystem 準(zhǔn)分子激光器
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時間:2025-11-06
英國 DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-11-06
英國 Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b，在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時間:2025-11-06
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實驗室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時間:2025-11-06
臺式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)
德國 sentech pe-ald 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強(qiáng)ald性能的先進(jìn)方法。
更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 等離子沉積機(jī)
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機(jī)，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-11-06
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機(jī),。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 等離子沉積機(jī)
pecvd depolab 200 等離子體沉積機(jī),將平行板等離子體源設(shè)計與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機(jī)、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div> 更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 等離子刻蝕機(jī)
sentech etchlab200 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 等離子刻蝕機(jī)
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機(jī)是一種將rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點(diǎn)與直接負(fù)載的低成本設(shè)計相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機(jī)系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 等離子刻蝕機(jī)
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機(jī)，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計特點(diǎn)。
更新時間:2025-11-06
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機(jī)
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-11-06
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000系列紫外單面光刻機(jī)，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-11-06
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/a8 紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
更新時間:2025-11-06
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000a 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時間:2025-11-06
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時間:2025-11-06
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-11-06
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機(jī)
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨(dú)立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-11-06
PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)
德國 picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī),156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達(dá)400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-11-06
高級型原子層沉積機(jī)
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機(jī).156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達(dá)300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉(zhuǎn)載，用工業(yè)機(jī)器人實現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-11-06
高級原子沉積機(jī)
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機(jī),基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-11-06
生產(chǎn)線型原子層沉積機(jī)
p-300s 生產(chǎn)線型原子層沉積機(jī),最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系統(tǒng)實現(xiàn),尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-11-06
生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)
p-300f,p-300bv 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)，p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載，用真空批量load lock實現(xiàn)。
更新時間:2025-11-06
生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)
picosun p-200s pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī) ，襯底尺寸和類型： 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-11-06
高級型原子層沉積機(jī)
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald，襯底尺寸和類型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復(fù)雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時間:2025-11-06
標(biāo)準(zhǔn)型原子層沉積機(jī)ALD
picosun™ r-200標(biāo)準(zhǔn)型原子層沉積機(jī)，picosun™ r系列設(shè)備提供高質(zhì)量ald薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括最具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。
更新時間:2025-11-06
日本Elionix微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)els-f125，是elionix推出的上臺加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時間:2025-11-06
日本Elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng)
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時間:2025-11-06
日本Elionix電子束光刻機(jī)
els-boden 新型電子束光刻系統(tǒng),高速掃描400mhz頻率生產(chǎn)
更新時間:2025-11-06
海德堡桌面無掩模光刻機(jī)
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學(xué)的肖特基場發(fā)射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機(jī)
更新時間:2025-11-06
德國海德堡 激光直寫光刻機(jī)
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟(jì)效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫模塊，實現(xiàn)不同精度直寫需求, 能于結(jié)構(gòu)上進(jìn)行灰度曝光
更新時間:2025-11-06
德國海德堡 Heidelberg 激光直寫光刻機(jī)
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機(jī) mla150,德國高精密激光直寫繪圖機(jī),非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時間:2025-11-06
德國MBE-Komponenten 分子束外延系統(tǒng)
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個源孔。
更新時間:2025-11-06
德國Leica 全新精研一體機(jī)
德國leica em txp全新精研一體機(jī)，是一款獨(dú)特的可對目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標(biāo)精細(xì)定位或需對肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點(diǎn)處理。
更新時間:2025-11-06
基恩士KEYENCE形狀測量激光顯微系統(tǒng)
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學(xué)顯微鏡，臺階儀，光學(xué)輪廓儀，及電鏡功能。
更新時間:2025-11-06
奧地利SmartNIL紫外納米壓印
奧地利smartnil紫外納米壓。篹vg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細(xì)胞生長。
更新時間:2025-11-06
奧地利EVG掩膜光刻機(jī)
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對準(zhǔn)系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實驗和小批量生產(chǎn)。
更新時間:2025-11-06
奧地利EVG鍵合機(jī)
奧地利evg鍵合機(jī)：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配，可以方便的實現(xiàn)從實驗線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時間:2025-11-06
奧地利EVG鍵合機(jī)
evg520is是一款設(shè)計用于小批量生產(chǎn)的半自動晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設(shè)計---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢特性，如獨(dú)立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時間:2025-11-06
奧地利EVG單雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能）
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動也可以為全自動形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時間:2025-11-06
日本Ulvac干法等離子刻蝕裝置
ne-550z是高真空load-lock式干法等離子刻蝕裝置，適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時間:2025-11-06

最新產(chǎn)品

熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗機(jī) 酸度計（PH計） 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑