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光學平臺產(chǎn)品及廠家

德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結構（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等沿域。
更新時間:2025-11-07
俄羅斯 Optosystem 準分子激光器
俄羅斯 optosystem 準分子激光器：cl7000, 準分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應用上，準分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導的地位。
更新時間:2025-11-07
英國 DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-11-07
英國 Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b，在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時間:2025-11-07
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導量子實驗室均使用該設備制備超導al結（量子比特和約瑟夫森結）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復性超導結。
更新時間:2025-11-07
臺式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-11-07
德國 Sentech 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-11-07
德國 Sentech 等離子沉積機
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-11-07
瑞典 Mycronic 掩膜版光刻機
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-11-07
瑞典 Mycronic 光刻機
主要優(yōu)勢提高分辨率 25%更佳的貼片性能 70%更快的寫入速度20%
更新時間:2025-11-07
德國 KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v300e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，掃描機械機構
更新時間:2025-11-07
美國TED 高分辨離子濺射儀
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室?guī)缀慰勺，寬范圍的操作壓力，緊湊、現(xiàn)代的桌上型設計，操作容易。
更新時間:2025-11-07
全自動上側或后側光刻機
oai 6000 fsa 全自動上側或后側光刻機,具有完全自動化的亞微米分辨率的頂側或背側對齊，提供無與倫比的性價比。
更新時間:2025-11-07
德國KSI 四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-11-07
德國 KSI 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-11-07
KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測特大件樣品
更新時間:2025-11-07
德國KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v700e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，用于檢測大件樣品
更新時間:2025-11-07
德國 KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實驗室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機型。
更新時間:2025-11-07
日本JEOL熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-11-07
日本JEOL發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-11-07
日本JEOL能譜儀
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過與sem的馬達驅(qū)動樣品臺聯(lián)動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區(qū)的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-11-07
日本JEOL掃描電子顯微鏡
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業(yè)速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-11-07
日本JEOL 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統(tǒng)應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統(tǒng)（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。
更新時間:2025-11-07
紫外單面光刻機
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-11-07
紫外雙面光刻機
ure-2000s 系列雙面光刻機，對準精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時間:2025-11-07
URE-2000B 型紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時間:2025-11-07
URE-2000/600 紫外單面光刻機
ure-2000/600 紫外單面光刻機，光束口徑： 650mm×650mm，對準精度： ±1.5μm
更新時間:2025-11-07
無掩膜單面光刻機
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2025-11-07
型無掩模單面光刻機
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時間:2025-11-07
紫外單面光刻機
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非？煽，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-11-07
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非？煽浚詣踊潭群芨，操作十分方便。
更新時間:2025-11-07
紫外單面光刻機
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-11-07
型紫外單面光刻機（臺式）
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2025-11-07
型紫外單面光刻機
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2025-11-07
紫外雙面光刻機型紫外單面光刻機
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時間:2025-11-07
紫外雙面光刻機
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-11-07
紫外雙面光刻機
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-11-07
紫外雙面光刻機
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-11-07
雙面光刻機
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-11-07
紫外雙面光刻機
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-11-07
雙面光刻機
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-11-07
紫外單面光刻機
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2025-11-07
紫外單面光刻機
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-11-07
美國 OAI 光刻機 Model 200 型桌面掩模對準器系統(tǒng)
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2025-11-07
美國OAI紫外光刻機
oai model 212型桌面掩模對準系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時間:2025-11-07
美國OAI掩模對準系統(tǒng)
oai model 800e 型掩模對準系統(tǒng)，各種光譜范圍選項:hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時間:2025-11-07
美國OAI紫外光刻機
oai 掩膜光刻機 model 6000型，高吞吐量180 wph，靈活處理基板從2“平方到12”平方
更新時間:2025-11-07
美國OAI紫外光刻機
oai的面板掩模光刻機 model 6020s, 用于foplp型號6020s -半自動化或自動化,實現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時間:2025-11-07
離子束刻蝕系統(tǒng)
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 ar 離子進行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時間:2025-11-07
納米壓痕儀
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學研究進入更高階段,同時具有高的性能、靈活性、可信度、實用性和速度；诤Ｋ紕(chuàng)幾十年的技術創(chuàng)新，它為納米力學表征帶來了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達到了臺優(yōu)異納米力學測試儀
更新時間:2025-11-07

最新產(chǎn)品

熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗機 酸度計（PH計） 離心機 高速離心機 冷凍離心機 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標準物質(zhì) 生物試劑